有限会社セミコンマテリアルズ

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●ウェハ成膜加工/NEW Wafer processing news.

■High-K膜/ALD(Atomic Layer Depotion)の成膜。
・対応ウェハサイズ：８”～１２”
・膜種：HfO2・HfOxN・HfSiO2・HfSiOxN・SiO2・Themal TaCN・　　　　　Thermal TiN・Ti・PE Ti/Thermal TiN・ZrO2

・次期予定膜：HfSiN・TaSiN・Thermal HfSiN..etc

■新しい Ultra Low-K膜（ULK）Novellus/ポーラスCORALも加工可能。
・対応ウェハサイズ：１２”のみ。
・誘電率：k＝2.5
・成膜装置：CVD　
・膜構造：Pourus（ﾎﾟｰﾗｽ）構造
・標準膜厚：2300Å(～8000A）
・提供製品：ﾍﾞﾀ膜ｳｪﾊ・754ﾊﾟﾀｰﾝｳｪﾊ

■ULK CVD-SIOC膜（Black-DiamondⅡPourus構造)の成膜加工も加工可能となりました。
・誘電率：k=2.4（Pourus構造）
・CVD
・ｳｪﾊｻｲｽﾞ：12"以上～
・標準膜厚：5000Å　現在の所、Blanketwaferのみ対応可。

*従来BD2（誘電率k=2.7-2.8）も加工可能です。
・誘電率：k=2.7-2.8
・CVD
・ｳｪﾊｻｲｽﾞ：8"以上～
・標準膜厚：１μm（4000Å）その他膜厚別途相談
・提供製品：ﾍﾞﾀ膜・BD/Cu配線 0.18μm～Trench 854/754ﾊﾟﾀｰﾝｳｪﾊ

■Gate酸化膜用SiON(Nitride比：～25%）膜厚：30～MAX100Å成膜加工できます。WaferSize：８”以上。

■ｼﾘｻｲﾄﾞ膜（TiSi,NiSi,CoSi）成膜加工できます。
WaferSize：８”以上。膜厚各150Å。

お問合せ/
半導体ウェハ加工営業部
E-Mail：info_f@semicon-materials.com
　

●太陽電池向け/ソーラーウェハ
We can provide the Solar wafers＆Silicon materials for the solar.

■新着情報(New materials information for the solar)
Please contact us if you have an interest.
(Date/11/07.08)
1)JAPAN CZ mono Top&Tail
・P-type Resistivity >0.5Ω/cm 3,300kg
・N-type Resistivity >0.5Ω/cm 3,300kg

2)JAPAN Multi 156size solar wafer.
100,000pcs/monthly.

3)China multi 156size solar wafer.(SOLD OUT）
1,000,000pcs/monthly.

4)China mono 125size solar wafer.(SOLD OUT）
1,000,000pcs/monthly.

5)JAPAN 6N PotScrap.　3,400kg　
P/N mixed(8:2) Res>0.5Ω/cm(65%),<0.5Ω/cm(35%)

6)JAPAN 11N broken wafer(coated wafer)
1,000kg
N-Type 100% Res >1Ω more

7)JAPAN 6N 6inch Ingot　
CZ or MCZ,Mono,P-Type,<100>, Res>0.5-3Ω,D=152mm,L=100～400mm
5,000kg/monthly contract.

■太陽電池向け/ｿｰﾗｰｳｪﾊ概略仕様
（Outline specification for solar wafer)
*Size：125×125 Mono/Multi-Crystalline
・Diameter：150±1.0mm
・Thickness：220±20μm
・Donor type:P/Boron（Mono）
・Resistance：0.5-3(6)ohm/cm
・Orientation：<100>（Mono）
・Dimensions：125×125±0.5mm
・Life time:>2-10μsec
・Oxygen content：<1.0×10*16-18
・Carbon content：<1.0(5.0)×10*16-18

*Size：156×156 Mono/Multi-Crystalline
・On the cross:218±1.0mm
・Thickness：220±20μm
・Donor type:P/Boron（Mono）
・Resistance：0.5-3(6)ohm/cm
・Orientation：<100>（Mono）
・Dimensions：156×156±0.5mm
・Life time:>2-10μsec
・Oxygen content：<1.0×10*16-18
・Carbon content：<1.0(5.0)×10*16-18

Contact/
SEMICON-MATERIALS,LLC.
The semiconductor wafer processing sales dept.
E-Mail: info_f@semicon-materials.com

■半導体最新トレンド技術情報

1：45nmﾌﾟﾛｾｽで必要不可欠な技術要求（PDF2.0MB）
2：FIB(+SEM)ｲﾝﾗｲﾝ欠陥解析の現状（PDF1.4MB)
3：High-K Hfベースの絶縁膜適用（PDF373KB)
4：ﾊﾟﾙｽI-Vで,High-k膜（HfO2・ZrO2・Al2O3）のﾁｬｰｼﾞ
ﾄﾗｯﾋﾟﾝｸﾞ現象を評価(PDF1.65MB)
5：Cu配線にCoWPを導入するﾒﾘｯﾄ(PDF1.75MB)
6：45nmﾌﾟﾛｾｽ Cu電解ﾒｯｷの課題と対策(PDF2.52MB)
7：ULK膜導入の鍵を握るポアシール技術 ALD-Depo BCBﾊﾞﾘﾔ膜
　　 (2.11MB)
8：ﾅﾉﾃｸ新時代 SOIウェハ技術(PDF1.72MB)
9：HYPER-NA 液浸ﾘｿｸﾞﾗﾌｨｰを阻む偏光効果の問題(PDF1.72MB)
10：Cu/Ultra Low-K膜構造における洗浄ﾌﾟﾛｾｽの検討(PDF983KB)
11：FUSI NiSiﾒﾀﾙｹﾞｰﾄ/CoSiﾊﾞﾘﾔで新記録達成(PDF373KB)
12：High-K膜の必要性と選択除去可能なｳｪｯﾄｴｯﾁﾝｸﾞ液製法の特定(PDF1.3MB)
13：Resist除去ﾌﾟﾗｽﾞﾏ vs ｳｪｯﾄｱｯｼﾝｸﾞの選択課題(PDF2.5MB)
14：High-K/ﾒﾀﾙｹﾞｰﾄの成功を担う洗浄の役割(PDF1.63MB)
15：SiPを支えるウェハ薄膜化技術(PDF1.51MB)
16：65nmﾌﾟﾛｾｽ以降のﾘｿｸﾞﾗﾌｨｰに対応可能な２層ﾚｼﾞｽﾄ(PDF1.7MB)
17：FDP用 Poly-Si形成技術(PDF1.77MB)
18：Cu配線の有限ｻｲｽﾞ効果を抑える(PDF1.75MB)

お問合せ/
半導体ウェハ加工営業部
E-Mail：info_f@semicon-materials.com　