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弊社の熱酸化膜付け加工は、
●ウェハサイズ：４”〜１２”まで対応可能です。
●膜厚：500Å〜25000Å（2.5μm）まで。
●膜厚公差：±5%
●Uniformity：±5%
●弊社加工先は、国内外半導体デバイスメーカー、半導体先端開発機構で、貴社技術的なご要望に合わせて選択し、ご提供致します。 |
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●熱酸化膜は、シンプルで不伝導性の絶縁薄膜で、電気的にシリコン基板や、デバイス配線（PolySilicon、金属、伝導性の薄膜）から、絶縁が必要とされる箇所に2000Å〜25000Åの厚い膜厚で形成されるフィールド酸化膜
●あるいは、トランジスターの活性領域上にある膜厚1000Å以下のゲート酸化膜として使われる非常に薄い熱の酸化物です。 |
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